Än så länge, solpaneler av monokristallint kisel har utvecklats snabbt inom både forskning och industrialisering.

Bland de många faktorer som påverkar C-Si-celler, gör förbättringen av kvaliteten på kiselskivor bulkrekombinationen mindre och mindre, och utvecklingen av nya passiveringsskikt och deras beredningsteknik minskar ytrekombinationen avsevärt. Bland dem blir rekombinationen av metallelektroden och C-Si-kontakten nyckelfaktorn som påverkar celleffektiviteten och anses vara den sista begränsande faktorn nära den teoretiska gränseffektiviteten. För att minska rekombinationen vid kontaktpunkten mellan metall och C-Si reduceras å ena sidan den direkta kontaktytan mellan metall och C-Si genom att delvis öppna hål på baksidan av cellen (inklusive PERC, PERL, och PERT, etc.). Även om omvandlingseffektiviteten är på eller nära 25 %, finns det fortfarande direkt kontakt mellan metall och C-Si i dessa celler, öppningsprocessen på baksidan är komplicerad och det kommer att orsaka skada på kiselmaterialet vid öppningen.

Dessutom gör den lokala öppningstekniken att bärarna inte bara avviker från migrationsvägen vinkelrätt mot kontaktytan utan också kan vara trånga vid öppningen, vilket leder till förlust av fyllnadsfaktor. Å andra sidan behöver nya kontaktscheman utvecklas som kan uppnå både utmärkt ytpassivering och separation och transport av bärare utan behov av öppningar, dvs bärselektiva passiveringskontakter. Denna lösning kan realisera passiveringen av hela ytan av kiselskivan (inklusive kontaktytan och den icke-kontaktytan), och vid denna tidpunkt transporterar bärarna endimensionell transport mellan elektroderna i båda ändar, vilket är fördelaktigt för erhålla en högre fyllningsfaktor och sedan förbättra dess omvandlingseffektivitet.